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光华讲坛—遭遇西方国家技术卡脖子困境,中国宽禁带半导体SiC功率器件产业何去何从?
发布时间: 2022-11-25

主题遭遇西方国家技术卡脖子困境,中国宽禁带半导体SiC功率器件产业何去何从?

主讲人成都海威华芯科技有限公司  黎明副总经理

主持人365体育亚洲唯一官网入口 唐明凤教授

时间2021年11月28日(周一)13:00—14:00

直播平台及会议ID:腾讯会议,134 997 804

主办单位:365体育亚洲唯一官网入口 科研处

主讲人简介:

黎明博士,现任成都海威华芯科技有限公司副总经理,高级工程师,2009年获得中科院微电子研究所微电子与固体电子学博士学位,博士后就职于香港科技大学,致力于GaN、GaAs外延技术研究,2012年加盟成都海威华芯科技有限公司,一直从事三五族化合物半导体芯片制造技术研究。2012年-2015年主持建设了中国第一条6英寸化合物半导体商用生产线,填补了国内在化合物半导体芯片制造领域的空白。作为技术总负责人,带领团队攻破多项大尺寸化合物半导体晶圆制造难题,开发了多款氮化镓、碳化硅、砷化镓射频及功率芯片工艺制程,为国内外多家企业实现代工服务,其6英寸GaN微波功率芯片制造技术获得四川省科技进步奖,并成功入选“成都市产业生态圈人才计划”。作为项目负责人,累计负责承担、完成10余项国家、省市级重点研发项目,获得授权、受理专利60余项,其中发明专利超过30项,发表文章累计40余篇。

内容提要:

在我国半导体行业遭遇西方国家对关键技术进行封锁的时代背景下,本讲座聚焦我国宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件产业,分析该产业如何在复杂的国际环境下持续发展。碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照等应用场合下极为理想的半导体材料。报告结合相关企业目前SiC功率器件的发展,介绍了SiC功率器件的优势、最新进展及发展前景和国产化进程,同时对我国宽禁带半导体SiC功率器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望。